美国亚利桑那大学宣布，该大学Brian J. LeRoy研究小组用扫描隧道显微镜（STM）成功拍摄到了hBN基板上石墨烯的清晰显微照片，为全球首次成功拍摄。
石墨烯在载流子迁移率等电特性方面显示高性能大多是自立状态下的测定值，即仅固定石墨烯薄膜的两端而其余大部分不与基板直接接触的状态。 而与Si基板和SiO2基板接触放置的石墨烯，其载流子迁移率只有自立状态下的几十分之一，这是将石墨烯应用于晶体管所面临的首要难题。而最近的研究表明，如果选择hBN作为基板，就能够确保石墨烯的特性。
而此次研究，除了拍摄到了清晰照片，还发现石墨烯在hBN基板上的电子和空穴的迁移度跟自立状态下的石墨烯相当，hBN不管层数和形状都具有5.5eV以上的带隙，事实上为绝缘体。根据此次研究结果，hBN可以作为石墨烯FET的绝缘层。

 
单层石墨烯的扫描显微（STM）照片（小蜂窝构造是石墨烯）