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单芯片双轴水平光纤加速度传感器及其制备方法--201510010031.X2016年09月18
   栏目: 传感专利
  文章内容

【公开号】CN104502630A
【公开日】2015.04.08
【分类号】G01P15/03
【申请日】2015.01.08
【申请人】中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【发明人】吴亚明;王小伟
【摘   要】本发明提供一种单芯片双轴水平光纤加速度传感器及其制备方法,包括:在第一基底上形成两个敏感方向相互正交的、对水平加速度敏感的单轴加速度敏感单元,单轴加速度敏感单元包括微反光镜、弹性梁以及光高反射膜,在第二基底表面形成微反光镜扭转空间;将第一基底与第二基底键合;对双轴加速度敏感芯片和光纤准直器进行光学耦合封装。本发明将两个敏感方向正交的 单轴加速度敏感芯片集成在同一衬底上,且光信号的传输在双轴加速度敏感芯片一侧,大大简化了基于MEMS技术的单芯片双轴加速度传感器的封装。


备注:2016年 第22卷 第06期
 

 
文章编号:提交者:jenny点击次数:【33
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