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一种高温压力传感器及其加工方法--201510023320.32016年12月05
   栏目: 传感专利
  文章内容

【公开号】CN104535253A
【公开日】2015.04.22
【分类号】G01L9/06
【申请日】2015.01.19
【申请人】北京大学
【发明人】刘冠东;崔万鹏;高成臣;郝一龙
【摘   要】公开了一种高温压力传感器及其加工方法,包括硅由敏感膜片、底座、TO管壳。其中敏感膜片采用SOI单晶硅圆片作为基片,在器件层加工电阻及引线互连组成惠斯登电桥,在衬底层进行各向异性腐蚀形成对压力敏感的膜片结构;底座以玻璃片或单晶硅圆片为基片,与敏感膜片进行阳极键合或硅硅直接键合或硅硅介质键合;以TO型金属管壳为外壳实现芯片级封装。本发明用SOI圆片的埋氧层和淀积的二氧化硅/氮化硅钝化层将硅电阻包裹隔离,消除了高温时的漏电流;溅射生长二硅化钛/钛/氮化钛/铂/金多层耐高温欧姆接触电极结构;采用耐高温键合及TO封装工艺,提高传感器高温工作稳定性。解决传统硅基传感器难以在高温环境中长期工作的问题。


备注:2016年 第22卷 第10期
 

 
文章编号:提交者:jenny点击次数:【98
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