【公开号】CN105914216A
【公开日】2016.08.31
【分类号】H01L27/146
【申请日】2016.05.05
【申请人】上海集成电路研发中心有限公司
【发明人】耿阳;胡少坚;陈寿面
【摘   要】本发明公开了一种图像传感器结构及其制作方法，通过在CMOS图像传感器结构中环绕接触下电极设置导电屏蔽环，形成电场隔离，可利用施加在其上的电压限制光敏量子点薄膜中光生载流子的流动方向，将连续的薄膜分成不同的区域，从而降低了像素间串扰；同时，通过施加不同的屏蔽电压还可以改变分隔所成区域的大小，适应不同的应用场景，从而取得分辨率和灵敏度的平衡；本发明结构简单，制作时可不增加额外工艺步骤与成本，且抗串扰效果显著。
 

备注：2017年 第23卷 第08期